N арналы MOSFET пен P арналы MOSFET арасындағы айырмашылық! MOSFET өндірушілерін таңдауға көмектесіңіз!

Схема дизайнерлері MOSFET таңдаған кезде сұрақты қарастырған болуы керек: олар P-арна MOSFET немесе N-арна MOSFET таңдау керек пе? Өндіруші ретінде сіз өзіңіздің өнімдеріңіздің басқа саудагерлермен төмен бағамен бәсекелесуін қалауыңыз керек, сонымен қатар қайталап салыстыруларыңыз қажет. Сонымен, қалай таңдау керек? 20 жылдық тәжірибесі бар MOSFET өндірушісі OLUKEY сізбен бөліскісі келеді.

1-айырмашылық: өткізгіштік сипаттамалары

N-арнасының MOS сипаттамалары Vgs белгілі бір мәннен жоғары болған кезде қосылады. Ол көз жерге тұйықталған кезде (төменгі жетек), егер қақпа кернеуі 4 В немесе 10 В жеткенше пайдалануға жарамды. P-арна MOS сипаттамаларына келетін болсақ, ол Vgs белгілі бір мәннен аз болған кезде қосылады, бұл көз VCC (жоғары деңгейлі диск) қосылған жағдайларға қолайлы.

2-айырмашылық:MOSFETкоммутацияның жоғалуы

N-арналы MOS немесе P-арна MOS болсын, оны қосқаннан кейін қарсылық бар, сондықтан ток осы кедергіде энергияны тұтынады. Тұтынылатын энергияның бұл бөлігі өткізгіштік жоғалту деп аталады. Кішігірім кедергісі бар MOSFET таңдау өткізгіштік жоғалуын азайтады, ал ағымдағы төмен қуатты MOSFET-тердің кедергісі әдетте ондаған миллиомды құрайды, сонымен қатар бірнеше миллиом бар. Сонымен қатар, MOS қосылғанда және өшірілгенде, ол бірден аяқталмауы керек. Төмендеу процесі бар, ағып жатқан токтың да өсу процесі бар.

Осы кезеңде MOSFET жоғалуы коммутация жоғалуы деп аталатын кернеу мен токтың өнімі болып табылады. Әдетте коммутациялық жоғалтулар өткізгіштік жоғалтулардан әлдеқайда үлкен, ал коммутация жиілігі неғұрлым жоғары болса, жоғалтулар соғұрлым көп болады. Өткізу сәтіндегі кернеу мен токтың көбейтіндісі өте үлкен, ал келтірілген шығын да өте үлкен, сондықтан коммутация уақытын қысқарту әрбір өткізгіштік кезінде жоғалтуды азайтады; коммутация жиілігін азайту уақыт бірлігіндегі қосқыштар санын азайтуы мүмкін.

Үшінші айырмашылық: MOSFET пайдалану

P-арна MOSFET-тің саңылау қозғалғыштығы төмен, сондықтан MOSFET-тің геометриялық өлшемі мен жұмыс кернеуінің абсолютті мәні тең болғанда, P-арна MOSFET-тің өткізгіштігі N-арна MOSFET-ке қарағанда аз болады. Сонымен қатар, MOSFET P-арнасының шекті кернеуінің абсолютті мәні салыстырмалы түрде жоғары, жұмыс кернеуінің жоғарылауын талап етеді. P-арнасының MOS үлкен логикалық ауытқуы, ұзақ зарядтау және разрядтау процесі және құрылғының шағын өткізгіштігі бар, сондықтан оның жұмыс жылдамдығы төмен. N-арналы MOSFET пайда болғаннан кейін олардың көпшілігі N-арналы MOSFET-пен ауыстырылды. Дегенмен, P-арна MOSFET процессі қарапайым және арзан болғандықтан, кейбір орта және шағын масштабты цифрлық басқару схемалары әлі де PMOS схемасының технологиясын пайдаланады.

Жарайды, бұл MOSFET қаптамасының өндірушісі OLUKEY-тің бүгінгі бөлісуіне арналған. Қосымша ақпарат алу үшін бізді мына жерден таба аласызӨЛҮКЕЙресми сайты. OLUKEY 20 жыл бойы MOSFET-ке назар аударды және штаб-пәтері Шэньчжэньде, Гуандун провинциясында, Қытайда орналасқан. Негізінен жоғары ток өрістік эффекті транзисторлары, жоғары қуатты MOSFET-тер, үлкен пакет MOSFET-тер, шағын кернеу MOSFET-тер, шағын пакет MOSFET-тер, шағын ток MOSFET-тер, MOS өріс эффекті түтіктері, оралған MOSFET-тер, қуат MOS, MOSFET пакеттері, түпнұсқа MOSFET-тер, оралған MOSFET-тер және т. . Негізгі агент өнімі WINSOK.