пайдаланып коммутациялық қоректендіру немесе қозғалтқыш жетек тізбегі жобалау кезіндеMOSFETs, әдетте MOS-тың кедергісі, максималды кернеуі және максималды тогы сияқты факторлар қарастырылады.
MOSFET түтіктері FET түрі болып табылады, оны жақсарту немесе сарқылу түрі, P-арнасы немесе N-арнасы ретінде барлығы 4 түрі үшін жасауға болады. жақсарту NMOSFET және жақсарту PMOSFET әдетте пайдаланылады және бұл екеуі әдетте аталады.
Бұл екеуі жиі қолданылатын NMOS. себебі өткізгіштік кедергі аз және оңай дайындалады. Сондықтан, NMOS әдетте коммутациялық қуат көзі мен қозғалтқыш жетек қосымшаларында қолданылады.
MOSFET ішінде тиристор дренаж мен көздің арасына орналастырылған, ол қозғалтқыштар сияқты индуктивті жүктемелерді жүргізуде өте маңызды және әдетте интегралды схема чипінде емес, тек бір MOSFET-де болады.
Паразиттік сыйымдылық MOSFET үш істікшесі арасында бар, бұл бізге қажет емес, бірақ өндіріс процесінің шектеулеріне байланысты. Паразиттік сыйымдылықтың болуы драйвер тізбегін жобалау немесе таңдау кезінде оны қиынырақ етеді, бірақ оны болдырмауға болмайды.
Негізгі параметрлеріMOSFET
1, ашық кернеу VT
Ашық кернеу (шекті кернеу деп те аталады): S көзі мен ағызу D арасында өткізгіш арнаны құра бастау үшін қажетті қақпа кернеуі; стандартты N-арна MOSFET, VT шамамен 3 ~ 6 В; процесті жақсарту арқылы MOSFET VT мәнін 2 ~ 3В дейін төмендетуге болады.
2, тұрақты токтың кіріс кедергісі RGS
Қақпа көзі полюсі мен қақпа тогы арасындағы қосылған кернеудің қатынасы Бұл сипаттама кейде қақпа арқылы өтетін қақпа тогы арқылы көрсетіледі, MOSFET RGS 1010 Ом-нан оңай асып кетуі мүмкін.
3. Дренаждық көздің бұзылуы BVDS кернеуі.
VGS = 0 (жақсартылған) жағдайында, ағызу көзінің кернеуін жоғарылату процесінде, VDS ағызу көзінің бұзылу кернеуі BVDS деп аталатын кезде ID күрт артады, ИД екі себепке байланысты күрт артады: (1) көшкін. дренаждың жанындағы сарқылу қабатының бұзылуы, (2) дренаж және бастапқы полюстер арасындағы енудің бұзылуы, траншея ұзындығы қысқарған кейбір MOSFET-тер ағызу аймағындағы дренаж қабаты бастапқы аймаққа дейін кеңеюі үшін VDS-ті арттырады, Арна ұзындығын нөлге тең етіп, яғни дренаждық көздің енуін, енуін жасау үшін, бастапқы аймақтағы тасымалдаушылардың көпшілігі сарқылу қабатының электр өрісімен дренаждық аймаққа тікелей тартылады, нәтижесінде үлкен ID болады. .
4, BVGS қақпасының көзінің бұзылу кернеуі
Қақпа кернеуі жоғарылағанда, IG нөлден жоғарылағандағы VGS ысырма көзінің бұзылу кернеуі BVGS деп аталады.
5、Төмен жиілікті өткізгіштік
VDS тұрақты мән болған кезде, ағызатын токтың микровариациясының өзгерісті тудыратын ысырма көзінің кернеуінің микровариациясына қатынасы өткізгіштік деп аталады, ол ысырма көзінің кернеуінің ағызу тогын басқару мүмкіндігін көрсетеді және күшейту мүмкіндігін сипаттайтын маңызды параметрMOSFET.
6, қарсылықтағы RON
Қарсылықтағы RON VDS-тің ИД-ге әсерін көрсетеді, белгілі бір нүктедегі ағызу сипаттамаларының жанама сызығының еңісіне кері шама, қанықтыру аймағында ID VDS-пен өзгермейді дерлік, RON өте үлкен. мән, әдетте ондаған кило-Омнан жүздеген кило-Омға дейін, өйткені сандық тізбектерде MOSFET жиі өткізгіш VDS = 0 күйінде жұмыс істейді, сондықтан осы сәтте RON кедергісін шамамен анықтауға болады. RON шығу тегі, жалпы MOSFET үшін RON мәнін бірнеше жүз Ом шегінде жуықтайды.
7, поляр аралық сыйымдылық
Үш электрод арасында поляраралық сыйымдылық бар: қақпа көзінің сыйымдылығы CGS, қақпаның ағызу сыйымдылығы CGD және ағызу көзінің сыйымдылығы CDS-CGS және CGD шамамен 1~3pF, CDS шамамен 0,1~1pF.
8、Төмен жиілікті шу факторы
Шу құбырдағы тасымалдаушылардың қозғалысының бұзылуынан туындайды. Оның болуына байланысты, күшейткішпен жеткізілетін сигнал болмаса да, шығыста тұрақты емес кернеу немесе ток өзгерістері орын алады. Шудың өнімділігі әдетте NF шу коэффициентімен көрсетіледі. Бірлік децибел (дБ). Мән неғұрлым аз болса, түтік соғұрлым аз шу шығарады. Төмен жиіліктегі шу коэффициенті - төменгі жиілік диапазонында өлшенетін шу коэффициенті. Өріс эффекті түтігінің шу коэффициенті шамамен бірнеше дБ, биполярлы триодтың шу коэффициентінен аз.
Жіберу уақыты: 24 сәуір-2024 ж
