Бұл пакеттелгенMOSFETпироэлектрлік инфрақызыл сенсор.Тіктөртбұрышты жақтау сезгіш терезе болып табылады.G істікшелі жерге қосу терминалы, D істікшелі ішкі MOSFET ағызу, ал S істікшелі ішкі MOSFET көзі болып табылады.Тізбекте G жерге қосылған, D оң қуат көзіне қосылған, инфрақызыл сигналдар терезеден енгізіледі, ал электрлік сигналдар S шығады.
Сот қақпасы Г
MOS драйвері негізінен толқын пішінін қалыптастыру және қозғалысты жақсарту рөлін атқарады: Егер G сигналының толқын пішініMOSFETжеткілікті тік емес, ол коммутациялық кезеңде қуаттың үлкен шығынын тудырады.Оның жанама әсері тізбекті түрлендіру тиімділігін төмендету болып табылады.MOSFET қатты қызбаға ие болады және ыстықтан оңай зақымдалады.MOSFETGS арасында белгілі бір сыйымдылық бар., G сигналын жүргізу мүмкіндігі жеткіліксіз болса, ол толқын пішінінің секіру уақытына айтарлықтай әсер етеді.
GS полюсін қысқа тұйықтап, мультиметрдің R×1 деңгейін таңдап, қара сынақ сымын S полюсіне, ал қызыл сынауышты D полюсіне жалғаңыз.Қарсылық бірнеше Ом-нан он Ом артық болуы керек.Белгілі бір түйреуіш пен оның екі түйреуіштің кедергісі шексіз екені анықталса және ол сынауыш сымдарды ауыстырғаннан кейін әлі де шексіз болатыны анықталса, бұл түйреуіш G полюсі екені расталады, өйткені ол қалған екі түйреуіштен оқшауланған.
S көзін анықтаңыз және D ағызыңыз
Мультиметрді R×1k мәніне орнатып, сәйкесінше үш түйреуіш арасындағы кедергіні өлшеңіз.Қарсылықты екі рет өлшеу үшін алмасу сынағы әдісін пайдаланыңыз.Қарсылық мәні төменірек (әдетте бірнеше мың Ом-нан он мың Ом-нан астам) алдыңғы қарсылық болып табылады.Бұл кезде қара сынақ сымы S полюсі болып табылады, ал қызыл сынауыш D полюсіне жалғанған.Әртүрлі сынақ жағдайларына байланысты өлшенген RDS(қосу) мәні нұсқаулықта берілген әдеттегі мәннен жоғары.
туралыMOSFET
Транзистордың N-типті арнасы бар, сондықтан оны N-арна деп атайдыMOSFET, немесеNMOS.P-арнасы MOS (PMOS) FET де бар, ол жеңіл легирленген N-типті BACKGATE және P-типті көзден және ағызудан тұратын PMOSFET болып табылады.
N-типті немесе P-типті MOSFET-ке қарамастан, оның жұмыс принципі негізінен бірдей.MOSFET шығыс терминалының ағызуындағы токты кіріс терминалының қақпасына қолданылатын кернеу арқылы басқарады.MOSFET – кернеумен басқарылатын құрылғы.Ол құрылғының сипаттамаларын қақпаға берілген кернеу арқылы басқарады.Ауыстыру үшін транзисторды пайдаланған кезде базалық ток тудыратын зарядты сақтау әсерін тудырмайды.Сондықтан қолданбаларды ауыстыру кезінде,MOSFETsтранзисторларға қарағанда жылдам ауысуы керек.
FET өз атауын оның кірісі (қақпа деп аталады) оқшаулағыш қабатқа электр өрісін проекциялау арқылы транзистор арқылы өтетін токқа әсер ететіндіктен алады.Шындығында, бұл оқшаулағыш арқылы ток өтпейді, сондықтан FET түтігінің GATE тогы өте аз.
Ең көп таралған FET GATE астындағы оқшаулағыш ретінде кремний диоксидінің жұқа қабатын пайдаланады.
Транзистордың бұл түрі металл оксиді жартылай өткізгіш транзисторы (MOS) немесе металл оксиді жартылай өткізгіш өріс эффектісі транзисторы (MOSFET) деп аталады.MOSFET-тер кішірек және қуатты тиімдірек болғандықтан, олар көптеген қолданбаларда биполярлы транзисторларды ауыстырды.
Жіберу уақыты: 10 қараша 2023 ж
