MOSFET төрт аймағы қандай?

 

MOSFET N-арнасын жақсартудың төрт аймағы

(1) Айнымалы қарсылық аймағы (қанықпаған аймақ деп те аталады)

Ucs" Ucs (th) (қосу кернеуі), uDs" UGs-Ucs (th), арна қосылған суреттегі алдын ала бекітілген іздің сол жағындағы аймақ. Бұл аймақта UD мәні аз, ал арна кедергісі негізінен тек UGs арқылы бақыланады. uGs белгілі болғанда, ip және uDs сызықтық қатынаста, аймақ түзу сызықтар жиыны ретінде жуықталады. Осы уақытта өріс әсер түтігі D, S кернеудің эквивалентінің арасында UGS

Кернеу UGS айнымалы кедергісі арқылы басқарылады.

(2) тұрақты ток аймағы (қанықтыру аймағы, күшейту аймағы, белсенді аймақ ретінде де белгілі)

Ucs ≥ Ucs (h) және Ubs ≥ UcsUssth), алдын ала қысу жолының оң жағының фигурасы үшін, бірақ аймақта әлі бөлшектелмеген, аймақта, uGs болуы керек кезде, ib дерлік жоқ. УД-мен өзгеруі тұрақты ток сипаттамалары болып табылады. i тек UG арқылы басқарылады, содан кейін MOSFETD, S ток көзінің uGs кернеуін басқаруға тең. MOSFET күшейту тізбектерінде қолданылады, әдетте MOSFET D жұмысында, S uGs кернеуін басқару ток көзіне тең. Күшейту тізбектерінде қолданылатын MOSFET әдетте аймақта жұмыс істейді, оны күшейту аймағы деп те атайды.

(3) Қиып алу аймағы (кесілген аймақ деп те аталады)

Аймақтың көлденең осіне жақын фигура үшін Ues (th) ucs сәйкес келетін кесу аймағы (сонымен қатар кесу аймағы ретінде белгілі), арнаның барлығы қысылған, толық кесу деп аталады, io = 0 , түтік жұмыс істемейді.

(4) бұзылу аймағының орны

Бөліну аймағы суреттің оң жағындағы аймақта орналасқан. UD өскен сайын, PN өткелі тым көп кері кернеуге және бұзылуға ұшырайды, ip күрт артады. Түтік бұзылған аймақта жұмыс істемеу үшін жұмыс істеуі керек. Тасымалдау сипаттамасының қисығын шығыс сипаттамалық қисық сызығынан шығаруға болады. Табу үшін график ретінде қолданылатын әдіс бойынша. Мысалы, 3 (а) суретте Ubs = 6V тік сызық үшін оның қисыққа қосылған ib- Uss координаталарындағы i, Us мәндеріне сәйкес келетін әртүрлі қисықтармен қиылысуы, яғни тасымалдау сипаттамасының қисығын алу үшін.

ПараметрлеріMOSFET

MOSFET-тің көптеген параметрлері бар, соның ішінде тұрақты ток параметрлері, айнымалы ток параметрлері және шекті параметрлер, бірақ жалпы пайдалануда тек келесі негізгі параметрлерді ескеру қажет: қаныққан ағызу көзінен ток IDSS қысу кернеуі Жоғары, (түйіс түріндегі түтіктер және сарқылу). -түрі оқшауланған қақпалы түтіктер немесе қосу кернеуі UT (күшейтілген оқшауланған қақпа түтіктері), өткізгіштік GM, ағып кету көзінің бұзылу кернеуі BUDS, PDSM максималды шығындалатын қуат және ағызу көзінің максималды тогы IDSM .

(1) Қаныққан төгу тогы

Қаныққан ағызу тогы IDSS - бұл ысырма кернеуі UGS = 0 болған кезде MOSFET оқшауланған ысырмасындағы немесе сарқылу түріндегі ағызу тогы.

(2) Қиып алу кернеуі

Қысу кернеуі UP - бұл ағызу мен көздің арасын жай ғана кесіп тастайтын MOSFET түйіспелі немесе сарқылу типті оқшауланған қақпадағы қақпа кернеуі. 4-25 N-арналы түтік UGS ID қисығы үшін көрсетілгендей, IDSS және UP маңыздылығын түсіну үшін түсінуге болады.

MOSFET төрт аймағы

(3) Қосылу кернеуі

Қосылу кернеуі UT - бұл ағынды аралық көзді тек өткізгіш ететін күшейтілген оқшауланған MOSFET қақпасындағы қақпа кернеуі.

(4) Өткізгіштік

Өткізгіштік gm – ағызу тоғының идентификаторындағы ысырма көзінің кернеуінің UGS басқару қабілеті, яғни ағызу тогы идентификаторының өзгеруінің ШЖҚ көзінің кернеуінің өзгеруіне қатынасы. 9м - күшейту қабілетін өлшейтін маңызды параметрMOSFET.

(5) Ағызу көзінің бұзылу кернеуі

Ағызу көзінің бұзылу кернеуі BUDS белгілі бір UGS қақпасының көзінің кернеуіне жатады, MOSFET қалыпты жұмысы ағызу көзінің максималды кернеуін қабылдай алады. Бұл шекті параметр, MOSFET-ке қосылған жұмыс кернеуі BUDS мәнінен аз болуы керек.

(6) Максималды қуат шығыны

Максималды қуат шығыны PDSM де шекті параметр болып табыладыMOSFETмаксималды рұқсат етілген ағып кету көзі қуат шығыны кезінде өнімділік нашарламайды. MOSFET пайдалану кезінде практикалық қуат тұтыну PDSM-ден аз болуы керек және белгілі бір маржаны қалдыруы керек.

(7) Максималды төгу тогы

Максималды ағып кету тогы IDSM тағы бір шекті параметр болып табылады, MOSFET-тің қалыпты жұмысына жатады, MOSFET-тің жұмыс тогы арқылы өтуге рұқсат етілген максималды токтың ағып кету көзі IDSM-ден аспауы керек.

MOSFET жұмыс істеу принципі

MOSFET (N-channel improvement MOSFET) жұмыс принципі осы «индуктивті зарядпен» түзілген өткізгіш арнаның күйін өзгерту үшін «индуктивті зарядтың» мөлшерін бақылау үшін VGS пайдалану, содан кейін мақсатқа жету болып табылады. ағызатын токты басқару. Мақсаты ағынды токты бақылау болып табылады. Түтіктерді өндіруде, оқшаулағыш қабатта оң иондардың көп мөлшерін жасау процесі арқылы, сондықтан интерфейстің екінші жағында теріс зарядтар көп индукциялануы мүмкін, бұл теріс зарядтар индукциялануы мүмкін.

Қақпа кернеуі өзгерген кезде арнада индукцияланған заряд мөлшері де өзгереді, өткізгіш арнаның ені де өзгереді, осылайша ағызу ток идентификаторы қақпа кернеуімен өзгереді.

MOSFET рөлі

I. MOSFET күшейтуге қолданылуы мүмкін. MOSFET күшейткішінің кіріс кедергісі жоғары болғандықтан, ілінісу конденсаторы электролиттік конденсаторларды қолданбай-ақ кішірек сыйымдылыққа ие болуы мүмкін.

Екіншіден, MOSFET-тің жоғары кіріс кедергісі кедергіні түрлендіру үшін өте қолайлы. Кедергілерді түрлендіру үшін көп сатылы күшейткіштің кіріс сатысында жиі қолданылады.

MOSFET айнымалы резистор ретінде пайдаланылуы мүмкін.

Төртіншіден, MOSFET тұрақты ток көзі ретінде оңай пайдаланылуы мүмкін.

Бесіншіден, MOSFET электрондық қосқыш ретінде пайдаланылуы мүмкін.