Жоғары қуатты MOSFET жетек тізбегінің өндіріс әдісі

Екі негізгі шешім бар:

Олардың бірі - MOSFET-ті басқару үшін арнайы драйвер чипін пайдалану немесе жылдам фотобайланыстырғыштарды пайдалану, транзисторлар MOSFET-ті басқару үшін тізбекті құрайды, бірақ тәсілдің бірінші түрі тәуелсіз қуат көзін қамтамасыз етуді талап етеді; MOSFET-ті басқаруға арналған импульстік трансформатордың басқа түрі, ал импульстік жетек тізбегінде қозғалыс қабілеттілігін арттыру үшін жетек тізбегінің ауысу жиілігін қалай жақсартуға болады, мүмкіндігінше құрамдас бөліктердің санын азайту қажет. шешу үшінағымдағы мәселелер.

 

Жетек схемасының бірінші түрі, жартылай көпір екі тәуелсіз қуат көзін қажет етеді; толық көпір үш тәуелсіз қуат көзін қажет етеді, жартылай көпір де, толық көпір де, тым көп құрамдас бөліктер, шығындарды азайтуға көмектеспейді.

 

Жүргізу бағдарламасының екінші түрі және патент өнертабысқа ең жақын алдыңғы қатардағы өнертабыс атауы «жоғары қуаттыMOSFET жетек тізбегі» патенті (өтініш нөмірі 200720309534. 8), патент тек өшіру мақсатына жету үшін жоғары қуатты MOSFET зарядының қақпа көзін босату үшін разрядқа төзімділікті қосады, PWM сигналының құлау шеті үлкен. PWM сигналының құлау шеті үлкен, бұл MOSFET-тің баяу өшірілуіне әкеледі, қуат жоғалуы өте үлкен;

 

Сонымен қатар, MOSFET патенттік бағдарламасының жұмысы кедергілерге ұшырайды және PWM басқару чипі үлкен шығыс қуатына ие болуы керек, чиптің температурасы жоғары, чиптің қызмет ету мерзіміне әсер етеді. Өнертабыстың мазмұны Бұл пайдалы модельдің мақсаты жоғары қуатты MOSFET жетек тізбегін қамтамасыз ету, осы пайдалы модель өнертабыс техникалық шешімінің мақсатына жету үшін неғұрлым тұрақты және нөлге тең жұмыс істеу болып табылады - жоғары қуатты MOSFET жетек тізбегі, сигнал шығысы. PWM басқару чипі бастапқы импульстік трансформаторға қосылған бірінші шығыс of қайталама импульстік трансформатор бірінші MOSFET ысырмасына қосылған, екінші импульстік трансформатордың екінші шығысы бірінші MOSFET қақпасына, екінші импульстік трансформатордың екінші шығысы бірінші MOSFET қақпасына қосылған. Екіншілік импульстік трансформатордың бірінші шығысы бірінші MOSFET қақпасына, екінші реттік импульстік трансформатордың екінші шығысы екінші MOSFET қақпасына қосылады, бұл екіншілік импульстік трансформатордың бірінші шығысының да қосылуымен сипатталады. бірінші разрядтық транзисторға, ал екінші реттік импульстік трансформатордың екінші шығысы да екінші разряд транзисторына қосылады. Импульстік трансформатордың бастапқы жағы да энергияны сақтау және босату тізбегіне қосылған.

 

Энергияны сақтауды босату тізбегі резисторды, конденсаторды және диодты қамтиды, резистор мен конденсатор параллель қосылған, ал жоғарыда аталған параллель тізбек диодпен тізбектей жалғанған. Пайдалы модель пайдалы әсерге ие Пайдалы модельде сонымен қатар екіншілік трансформатордың бірінші шығысына қосылған бірінші разрядтық транзистор және импульстік трансформатордың екінші шығысына қосылған екінші разряд транзисторы бар, осылайша импульстік трансформатор төмен қуат шығарғанда деңгейінде, бірінші MOSFET және екінші MOSFET MOSFET өшіру жылдамдығын жақсарту үшін және MOSFET жоғалуын азайту үшін тез зарядсыздандырылуы мүмкін. PWM басқару микросхемасының сигналы бастапқы шығыс пен импульс арасында MOSFET сигналын күшейтуге қосылған. сигналды күшейту үшін пайдаланылуы мүмкін трансформатордың бастапқы. PWM басқару чипінің сигнал шығысы және бастапқы импульстік трансформатор сигналды күшейту үшін MOSFET-ке қосылған, бұл PWM сигналының қозғалу қабілетін одан әрі жақсартуға мүмкіндік береді.

 

Бастапқы импульстік трансформатор сонымен қатар энергия сақтауды босату тізбегіне қосылады, PWM сигналы төмен деңгейде болғанда, энергия сақтауды босату тізбегі PWM жоғары деңгейде болған кезде импульстік трансформаторда сақталған энергияны босатып, қақпаның болуын қамтамасыз етеді. бірінші MOSFET және екінші MOSFET көзі өте төмен, бұл кедергінің алдын алуда маңызды рөл атқарады.

 

Белгілі бір іске асыруда сигналды күшейтуге арналған төмен қуатты MOSFET Q1 PWM басқару микросхемасының сигнал шығыс терминалы мен Tl импульстік трансформаторының бастапқы терминалы арасында, импульстік трансформатордың екіншілік бірінші шығыс терминалы қосылады. бірінші MOSFET Q4 қақпасы D1 диоды және қозғаушы резистор Rl арқылы, импульстік трансформатордың қайталамасының екінші шығыс терминалы D2 диод және R2 қозғаушы резистор арқылы екінші MOSFET Q5 қақпасына қосылады, ал Импульстік трансформатордың қайталамасының бірінші шығыс терминалы да бірінші ағызу триодына Q2, ал екінші дренаждық триод Q3 де екінші ағызу триодына Q3 қосылады. MOSFET Q5, екіншілік импульстік трансформатордың бірінші шығыс терминалы бірінші ағызу транзисторына Q2 қосылған, ал екінші реттік импульстік трансформатордың екінші шығыс терминалы Q3 екінші ағызу транзисторына қосылған.

 

Бірінші MOSFET Q4 қақпасы ағызу резисторына R3, ал екінші MOSFET Q5 қақпасы R4 ағызу резисторына қосылған. импульстік трансформатордың Tl біріншісі де энергияны сақтау және босату тізбегіне қосылған, ал энергияны сақтау және босату тізбегіне R5 резисторы, Cl конденсаторы және D3 диод кіреді, ал R5 резисторы мен Cl конденсаторы параллель және жоғарыда аталған параллель тізбек D3 диодымен тізбектей қосылған. PWM басқару микросхемасынан PWM сигналының шығысы төмен қуатты MOSFET Q2-ге, ал төмен қуатты MOSFET Q2 импульстік трансформатордың қайталамасына қосылған. төмен қуатты MOSFET Ql арқылы күшейтіледі және импульстік трансформатордың Tl біріншісіне шығады. PWM сигналы жоғары болған кезде импульстік трансформатордың Tl қайталамасының бірінші шығыс терминалы және екінші шығыс терминалы бірінші MOSFET Q4 және екінші MOSFET Q5 жүргізу үшін жоғары деңгейлі сигналдарды шығарады.

 

PWM сигналы төмен болған кезде, бірінші шығыс және импульстік трансформатордың екінші шығысы Tl екінші шығыс төмен деңгейлі сигналдар, бірінші ағызу транзисторы Q2 және екінші ағызу транзисторы Q3 өткізгіштік, R3 ағызу резисторы арқылы бірінші MOSFETQ4 қақпасының көзінің сыйымдылығы, разрядқа арналған бірінші ағызу транзисторы Q2, ағызу резисторы арқылы R4 екінші MOSFETQ5 қақпасының көзінің сыйымдылығы, разрядқа арналған екінші ағызу транзисторы Q3, R4 ағызу резисторы арқылы екінші MOSFETQ5 қақпасының көзінің сыйымдылығы, разряд үшін екінші ағызу транзисторы Q3, екіншісі R4 ағызу резисторы арқылы MOSFETQ5 қақпасының көзінің сыйымдылығы, разряд үшін екінші ағызу транзисторы Q3. Екінші MOSFETQ5 қақпасының көзінің сыйымдылығы ағызу резисторы R4 және екінші ағызу транзисторы Q3 арқылы разрядталады, осылайша бірінші MOSFET Q4 және екінші MOSFET Q5 тезірек өшіріліп, қуат жоғалуы азаяды.

 

PWM сигналы төмен болғанда, R5 резисторынан, Cl конденсаторынан және D3 диодынан тұратын сақталған энергияны босату тізбегі PWM жоғары болған кезде импульстік трансформаторда сақталған энергияны шығарады, бұл бірінші MOSFET Q4 және екінші MOSFET қақпасының көзі болуын қамтамасыз етеді. Q5 өте төмен, бұл кедергіге қарсы мақсатқа қызмет етеді. Диод Dl және D2 диод шығыс тогын бір бағытта жүргізеді, осылайша PWM толқын пішінінің сапасын қамтамасыз етеді және сонымен бірге ол белгілі бір дәрежеде кедергіге қарсы рөл атқарады.