Параллельді транзисторлар мен MOSFET-тің негізгі теориясы туралы: Біріншіден, транзисторлар теріс экспоненциалды температура мәніне ие, яғни транзистордың температурасы көтерілгенде, қарсылық кішірейеді. Екіншіден, MOSFET-тер транзисторларға қарағанда оң экспоненциалды температура мәніне ие, бұл температура көтерілген кезде қарсылық баяу өсетінін білдіреді.
Транзисторлармен салыстырғанда, MOSFET шын мәнінде параллельді қуат тізбектеріндегі токты теңестіру үшін қолайлы. Сондықтан қуат беру тізбегіндегі ток салыстырмалы түрде үлкен болған кезде, біз әдетте шунттауға параллель MOSFET пайдалануды ұсынамыз. Токты теңестіру үшін MOSFET-ті таңдағанда және бір жолмен ток MOSFET тоғынан асып кетсе, MOSFET тогы үлкен MOSFET-тердің қызуынан туындайды, бұл қосу-өшіру кедергісіне әкеледі. , токтың төмендеуін азайту; MOSFET-тер тұрақты түрде реттелетін ток айырмашылығына негізделген және соңында екеуінің арасындағы ағымдағы тепе-теңдікті жүзеге асырадыMOSFETs.
Біз атап өтуіміз керек нәрселердің бірі: транзисторларды жоғары ток тауарларының ағынын аяқтау үшін параллельді қосуға болады, бірақ содан кейін әрқайсысының ағымдағы балансымен күресу үшін сериялық жетек резисторының негізіне негізделу керек. мәселенің ортасында параллель транзистор.
Транзисторларды параллель қосудың жалпы мәселелері:
(1), тербелісті болдырмас үшін әрбір транзистордың қақпасын жетекті жүзеге асыру үшін тізбектей әрбір жетек резисторына тікелей қосуға болмайды.
(2), әрбір транзисторды басқару үшін(MOSFET)тұрақтылықты сақтау үшін ашық уақыт пен жабылу уақыты, өйткені бірізді болмаса, құбырды бірінші ашқанда немесе жабу кезінде токтың шамадан тыс енуіне байланысты бұзылады.
(3) және ақырында, біз әрбір транзистордың көзін теңестіретін резистормен тізбектей алғымыз келеді, әрине, мұны істеу қажет емес.
Olueky нарықты агрессивті дамыту және тиімді ресурстарды біріктіру арқылы Азиядағы ең жақсы және жылдам дамып келе жатқан агенттердің біріне айналды. Әлемдегі ең құнды агентке айналуолукейдікімақсат.
Жіберу уақыты: 05 шілде 2024 ж
