MOSFET жоғары кіріс кедергісі, төмен шу, термиялық тұрақтылық, электронды схемалардағы біріктірілген артықшылықтар және оның үлкен қуат ағыны, үлкен жұмыс кернеуі электрмен жабдықтау схемасы кеңінен қолданылады; дұрыс қолдану, MOSFET істікшесін анықтау, полярлық өте маңызды, сол транзистормен, MOSFET істікшесін шебер анықтау керек, полярлық алдымен оның құрылымы мен негізгі принциптерін түсінуі керек.MOSFETтүйреуіште G қақпасы, D ағызу және S көзінде үш электрлік деңгей бар, егер қос қақпалы түтікте төрт электрлік деңгей болса.
MOSFET-терді түйіспеге бөлуге боладыMOSFETsжәне конструкциясы бойынша оқшауланған қабат қақпасы MOSFETs, оның ішінде оқшауланған қабат қақпасы MOSFET күшейту және сарқылу болып бөлінеді; MOSFETs түйісуі «түйісу» pn түйісуін білдіреді, оқшауланған қабат қақпасы MOSFETs оқшауланған қабат қақпасы қақпа мен көздің қабатын білдіреді, ортасында дренаж. Кремний диоксиді кабель қабығы, олардың арасында өткізгіш байланыс жоқ. Өткізгіш арнаның сипаттамаларына сәйкес MOSFET түйісу және оқшауланған қабат торы MOSFET электронды және бөлуге болады.тесік типті арна,бұл MOSFET өткізгіш қауіпсіз арна.MOSFET бірполярлы кристалды транзисторға, транзистор биполярлы кристалды транзисторға жатады, яғни бос электрондардың алдында тек өткізгіш түрі бойынша, соңғысы - өткізгіштің бір түрі. бос электрондардың екі түрі. MOSFET кернеумен басқарылатын кристалдық транзисторға жатады, өткізгіштік жұмыс қабілеттілігінің арнасын өзгерту үшін жұмыс кернеуінің ауысу ортасының қақпасы мен көзіне сәйкес. Триод ағынмен басқарылатын кристалдық триод ретінде жіктеледі және коллекторлық қосылыс тоғының мөлшері ағынның ығысуына сәйкес өзгереді.
Көптеген жылдар бойы OLUKEY өмір сүрудің сенімділігіне, «бірінші сапа, бірінші кезекте қызмет көрсету» мақсатына және үйде және шетелде көптеген жоғары технологиялық кәсіпорындарға, жақсы жұмыс қарым-қатынасын орнатуға арналған түпнұсқа зауытқа, көп жылдық кәсіби тәжірибесі бар. тарату, жақсы несие, тамаша қызмет көрсету және кең ауқымды сенім мен қолдауға қол жеткізу.
Жіберу уақыты: 03 шілде 2024 ж
