Өріс әсерлі транзистор қысқартылғанMOSFET.Екі негізгі түрі бар: қосылыс өрісі әсерлі түтіктер және металл-оксидті жартылай өткізгіш өріс әсерлі түтіктер. MOSFET сонымен қатар өткізгіштікке қатысатын тасымалдаушылардың көпшілігі бар бірполярлы транзистор ретінде белгілі. Олар кернеумен басқарылатын жартылай өткізгіш құрылғылар. Оның жоғары кіріс кедергісі, төмен шу, төмен қуат тұтынуы және басқа сипаттамалары арқасында биполярлық транзисторлар мен күшті транзисторларға күшті бәсекелес болады.
I. MOSFET негізгі параметрлері
1, тұрақты ток параметрлері
Қаныққан ағызу тогын ысырма мен көз арасындағы кернеу нөлге тең болғанда және ағызу мен көз арасындағы кернеу қысу кернеуінен жоғары болғанда сәйкес келетін төгу тогы ретінде анықтауға болады.
Қысу кернеуі UP: UDS сенімді болған кезде идентификаторды шағын токқа дейін азайту үшін қажет UGS;
Қосылу кернеуі UT: UDS сенімді болған кезде идентификаторды белгілі бір мәнге жеткізу үшін UGS қажет.
2、AC параметрлері
Төмен жиіліктегі өткізгіштік gm : ағызу тоғына қақпа және бастапқы кернеудің бақылау әсерін сипаттайды.
Полюсаралық сыйымдылық: MOSFET үш электроды арасындағы сыйымдылық, мән неғұрлым аз болса, өнімділік соғұрлым жақсы болады.
3、Шектеу параметрлері
Дренаж, көздің бұзылу кернеуі: төгу тогы күрт көтерілгенде, UDS кезінде көшкіннің бұзылуын тудырады.
Қақпаның бұзылу кернеуі: қосылыс өрісінің әсер ету түтігінің қалыпты жұмысы, кері ығысу күйіндегі PN түйісу арасындағы қақпа және көз, ток бұзылу үшін тым үлкен.
II. сипаттамаларыMOSFETs
MOSFET күшейту функциясына ие және күшейтілген тізбекті құра алады. Триодпен салыстырғанда ол келесі сипаттамаларға ие.
(1) MOSFET кернеумен басқарылатын құрылғы және потенциалды UGS басқарады;
(2) MOSFET кірісіндегі ток өте аз, сондықтан оның кіріс кедергісі өте жоғары;
(3) Оның температуралық тұрақтылығы жақсы, өйткені ол өткізгіштік үшін негізгі тасымалдаушыларды пайдаланады;
(4) оның күшейту тізбегінің кернеуді күшейту коэффициенті триодқа қарағанда аз;
(5) Ол радиацияға төзімдірек.
Үшіншіден,MOSFET және транзисторларды салыстыру
(1) MOSFET көзі, қақпасы, дренаждық және триод көзі, негіз, орнату нүктесі полюсі ұқсас рөлге сәйкес келеді.
(2) MOSFET - кернеумен басқарылатын ток құрылғысы, күшейту коэффициенті аз, күшейту қабілеті нашар; триод - токпен басқарылатын кернеу құрылғысы, күшейту қабілеті күшті.
(3) MOSFET қақпасы негізінен ток қабылдамайды; және триод жұмысы, база белгілі бір токты жұтады. Сондықтан MOSFET қақпасының кіріс кедергісі триодтың кіріс кедергісіне қарағанда жоғары.
(4) MOSFET өткізгіш процесінде политрон қатысады, ал триодта екі түрлі тасымалдаушы бар, политрон және олиготрон, және оның олиготрон концентрациясы температура, сәулелену және басқа факторларға үлкен әсер етеді, сондықтан MOSFET транзисторға қарағанда температураның тұрақтылығы мен радиацияға төзімділігі жақсы. MOSFET қоршаған орта жағдайлары көп өзгерген кезде таңдалуы керек.
(5) MOSFET бастапқы металға және субстратқа қосылған кезде, көз және дренаж алмасуға болады және сипаттамалар көп өзгермейді, ал транзистордың коллекторы мен эмитенті ауыстырылған кезде сипаттамалар әртүрлі және β мәні азаяды.
(6) MOSFET шу көрсеткіші аз.
(7) MOSFET және триод әртүрлі күшейткіш тізбектерден және коммутациялық тізбектерден тұруы мүмкін, бірақ біріншісі аз қуатты, жоғары термиялық тұрақтылықты, қоректендіру кернеуінің кең диапазонын тұтынады, сондықтан ол кең ауқымды және ультра-үлкен құрылғыларда кеңінен қолданылады. масштабты интегралдық схемалар.
(8) Триодтың кедергісі үлкен, ал MOSFET кедергісі аз, сондықтан MOSFET әдетте тиімділігі жоғары қосқыштар ретінде пайдаланылады.
Хабарлама уақыты: 16 мамыр 2024 ж
