MOSFET (металл-оксид-жартылай өткізгіш өрістік транзистор) көбінесе толық басқарылатын құрылғылар болып саналады. Бұл MOSFET жұмыс күйі (қосу немесе өшіру) қақпа кернеуімен (Vgs) толығымен бақыланады және биполярлы транзистор (BJT) жағдайындағыдай базалық токқа тәуелді емес.
MOSFET-те Vgs қақпа кернеуі көз мен ағызу арасында өткізгіш арнаның пайда болуын, сондай-ақ өткізгіш арнаның ені мен өткізгіштігін анықтайды. Vgs шекті кернеуден Vt асқанда, өткізгіш арна қалыптасады және MOSFET он-күйге енеді; Vgs Vt төмен түскенде, өткізгіш арна жоғалады және MOSFET үзілген күйде болады. Бұл басқару толығымен басқарылады, өйткені қақпа кернеуі басқа ток немесе кернеу параметрлеріне сүйенбестен MOSFET жұмыс күйін дербес және дәл басқара алады.
Керісінше, жартылай басқарылатын құрылғылардың (мысалы, тиристорлар) жұмыс күйіне тек басқару кернеуі немесе ток әсер етпейді, сонымен қатар басқа факторлар (мысалы, анодтық кернеу, ток және т.б.) әсер етеді. Нәтижесінде толық басқарылатын құрылғылар (мысалы, MOSFET) әдетте басқару дәлдігі мен икемділігі тұрғысынан жақсырақ өнімділікті ұсынады.
Қорытындылай келе, MOSFET-тер толығымен басқарылатын құрылғылар болып табылады, олардың жұмыс күйі қақпа кернеуімен толығымен басқарылады және жоғары дәлдік, жоғары икемділік және төмен қуат тұтыну артықшылықтары бар.
Жіберу уақыты: 20 қыркүйек 2024 ж
