Жиі қолданылатын жоғары қуатты MOSFET жұмыс принципімен таныстыру

Бүгінгі күні жиі қолданылатын жоғары қуатMOSFETоның жұмыс істеу принципімен қысқаша таныстыру. Оның өз жұмысын қалай жүзеге асыратынын қараңыз.

 

Металл-оксид-жартылай өткізгіш, яғни, Металл-оксид-жартылай өткізгіш, дәл осы атау интегралдық схемадағы MOSFET құрылымын сипаттайды, яғни: жартылай өткізгіш құрылғының белгілі бір құрылымында кремний диоксиді және металл қосылып, түзілу. қақпаның.

 

MOSFET көзі мен ағызу бір-біріне қарама-қайшы, екеуі де P типті артқы қақпада қалыптасқан N типті аймақтар. Көптеген жағдайларда екі аймақ бірдей, тіпті реттеудің екі ұшы құрылғының жұмысына әсер етпесе де, мұндай құрылғы симметриялы болып саналады.

 

Жіктелуі: арна материалының түріне және әрбір N-арнаның және P-арнаның екінші оқшауланған қақпасының түріне сәйкес; өткізгіштік режимі бойынша: MOSFET сарқылу және күшейту болып бөлінеді, сондықтан MOSFET N-арнаның сарқылу және күшейту болып бөлінеді; P-арнасының таусылуы және төрт негізгі санатты жақсарту.

MOSFET жұмыс принципі – құрылымдық сипаттамаларыMOSFETол өткізгішке қатысатын тек бір полярлық тасымалдаушыны (полис) өткізеді, бірполярлы транзистор болып табылады. Өткізгіш механизмі төмен қуатты MOSFET сияқты, бірақ құрылымы үлкен айырмашылыққа ие, төмен қуатты MOSFET көлденең өткізгіш құрылғы, қуатты MOSFET тік өткізгіш құрылымының көпшілігі, сонымен қатар MOSFET-ті айтарлықтай жақсартатын VMOSFET деп аталады. құрылғының кернеуі мен токқа төзімділігі. Негізгі ерекшелігі - металл қақпасы мен арнаның арасында кремнеземді оқшаулау қабаты бар, сондықтан кіріс кедергісі жоғары, түтік n-типті өткізгіш арнаны қалыптастыру үшін n диффузиялық аймақтың екі жоғары концентрациясында өткізеді. n-арнаны жақсарту MOSFET-тер алға қисаюы бар қақпаға қолданылуы керек және тек қақпа көзінің кернеуі n-арнасы MOSFET тудыратын өткізгіш арнаның шекті кернеуінен жоғары болған кезде ғана. n-арнаның сарқылу типіндегі MOSFET-тер n-арналы MOSFET-тер болып табылады, онда ешқандай ысырма кернеуі қолданбаған кезде өткізгіш арналар жасалады (қақпа көзінің кернеуі нөлге тең).

 

MOSFET-тің жұмыс істеу принципі «индукцияланған заряд» арқылы пайда болған өткізгіш арнаның күйін өзгерту үшін VGS көмегімен «индукцияланған заряд» мөлшерін бақылау, содан кейін ағызу тогын басқару мақсатына жету. Түтіктерді өндіру кезінде, оқшаулау қабатының процесі арқылы оң иондардың көп саны пайда болады, сондықтан интерфейстің екінші жағында теріс зарядты индукциялауға болады, бұл теріс зарядтар N қоспалардың жоғары енуіне әкеледі. Өткізгіш арнаның пайда болуына байланысты аймақ, тіпті VGS = 0-де де үлкен ағып кету тогы идентификаторы бар. ысырма кернеуі өзгерген кезде, арнада индукцияланған заряд мөлшері де өзгереді және арнаның өткізгіш арнасының ені мен тарлығы және өзгереді, осылайша ысырма кернеуімен ағып кету тогы идентификаторы. ток идентификаторы қақпа кернеуіне байланысты өзгереді.

 

Енді қолданбасыMOSFETадамдардың оқуын, жұмыс тиімділігін айтарлықтай жақсартты, сонымен бірге өмір сүру сапасын жақсартты. Біз оны кейбір қарапайым түсіну арқылы ұтымдырақ түсінеміз. Ол құрал ретінде ғана емес, оның сипаттамаларын, жұмыс принципін көбірек түсінуге мүмкіндік береді, бұл да бізге көп қызық береді.