Екіншіден, жүйе шектеулерінің мөлшері
Кейбір электрондық жүйелер ПХД және ішкі өлшемдерімен шектеледі биіктігі, сүш коммуникациялық жүйелер ретінде, биіктік шектеулеріне байланысты модульдік қуат көзі әдетте DFN5 * 6, DFN3 * 3 пакетін пайдаланады; кейбір ACDC қуат көзінде, ультра жұқа дизайнды пайдалану немесе қабықтың шектеулеріне байланысты, биіктік шектеулерінің тамырына тікелей енгізілген қуат MOSFET аяқтарының TO220 пакетін құрастыру TO247 пакетін пайдалана алмайды. Кейбір ультра жұқа дизайн құрылғының түйреуіштерін тегіс бүгіп, бұл дизайнды өндіру процесі күрделі болады.
Үшіншіден, кәсіпорынның өндірістік процесі
TO220 пакетінің екі түрі бар: жалаң металл қаптама және толық пластик қаптама, жалаңаш металл қаптаманың термиялық кедергісі аз, жылуды тарату қабілеті күшті, бірақ өндіріс процесінде оқшаулаудың төмендеуін қосу керек, өндіріс процесі күрделі және қымбат, толық пластикалық қаптаманың жылу кедергісі үлкен болғанымен, жылуды тарату қабілеті әлсіз, бірақ өндіріс процесі қарапайым.
Бұрандаларды құлыптаудың жасанды процесін азайту үшін соңғы жылдары кейбір электронды жүйелер қуат беру үшін қысқыштарды пайдаланады.MOSFETs инкапсуляцияның жаңа түрінде саңылауларды жоюдың жоғарғы бөлігінің дәстүрлі TO220 бөлігінің пайда болуы, сонымен қатар құрылғының биіктігін азайту үшін жылу раковинасында қысылған.
Төртіншіден, шығындарды бақылау
Жұмыс үстелінің аналық платалары мен платалары сияқты кейбір өте сезімтал қолданбаларда DPAK пакеттеріндегі қуат MOSFET әдетте осындай пакеттердің құны төмен болғандықтан пайдаланылады. Сондықтан, қуатты MOSFET пакетін таңдағанда, олардың компаниясының стилі мен өнім ерекшеліктерімен біріктіріліп, жоғарыда аталған факторларды ескеріңіз.
Бесіншіден, көп жағдайда BVDSS шыдамдылық кернеуін таңдаңыз, себебі vo кірісінің дизайныэлектронның деңгейі жүйе салыстырмалы түрде бекітілген, компания қандай да бір материал санының нақты жеткізушісін таңдады, өнімнің номиналды кернеуі де бекітілген.
Деректер парағындағы MOSFET қуаттарының BVDSS бұзылу кернеуі әртүрлі жағдайларда әртүрлі мәндері бар сынақ жағдайларын анықтады және BVDSS оң температура коэффициентіне ие, бұл факторлардың комбинациясын нақты қолдануда кешенді түрде қарастырылуы керек.
Көптеген ақпараттар мен әдебиеттер жиі айтылады: егер MOSFET VDS қуат жүйесі ең жоғары кернеулі болса, BVDSS-ден жоғары болса, тіпті серпінді импульстік кернеу ұзақтығы бірнеше немесе ондаған нс болса да, MOSFET қуаты көшкінге түседі. және осылайша зақым пайда болады.
Транзисторлар мен IGBT-ден айырмашылығы, қуатты MOSFET көшкініне қарсы тұру қабілетіне ие және көптеген ірі жартылай өткізгіш компаниялар MOSFET көшкіні энергиясын өндірістік желіде толық тексеру, 100% анықтау болып табылады, яғни деректерде бұл кепілдік берілген өлшеу, көшкін кернеуі. әдетте 1,2 ~ 1,3 рет BVDSS орын алады, және уақыт ұзақтығы әдетте μs, тіпті мс деңгейінде, содан кейін ұзақтығы тек бірнеше немесе ондаған нс, көшкін кернеуінің күрт серпінді импульстік кернеу әлдеқайда төмен зақымдануы емес. қуат MOSFET.
Алты, жетек кернеуін таңдау арқылы VTH
MOSFET қуаттылығының әртүрлі электрондық жүйелері таңдалған жетек кернеуі бірдей емес, айнымалы / тұрақты ток қуат көзі әдетте 12 В жетек кернеуін, ноутбуктың аналық платасының тұрақты / тұрақты түрлендіргіші 5 В жетек кернеуін пайдаланады, сондықтан жүйенің жетек кернеуіне сәйкес басқа шекті кернеуді таңдау үшін VTH қуатты MOSFET.
Деректер парағындағы MOSFET қуаттарының VTH шекті кернеуі де анықталған сынақ жағдайларына ие және әртүрлі жағдайларда әртүрлі мәндерге ие, ал VTH теріс температура коэффициентіне ие. Әр түрлі жетек кернеулері VGS әртүрлі қосу кедергілеріне сәйкес келеді және практикалық қолдануда температураны ескеру маңызды.
Практикалық қолданбаларда MOSFET қуатының толық қосылғанын қамтамасыз ету үшін температураның ауытқуларын ескеру керек, сонымен бірге өшіру процесі кезінде G-полюсіне қосылған серпіліс импульстерінің жалған іске қосу арқылы іске қосылмауын қамтамасыз ету керек. түзу немесе қысқа тұйықталу жасайды.
Жіберу уақыты: 03 тамыз 2024 ж
