Қақпа сыйымдылығы және MOSFET (металл-оксид-жартылай өткізгіш өрістік транзистор) кедергісі сияқты параметрлер оның өнімділігін бағалаудың маңызды көрсеткіштері болып табылады. Төменде осы параметрлердің егжей-тегжейлі түсіндірмесі берілген:
I. Қақпаның сыйымдылығы
Қақпа сыйымдылығы негізінен кіріс сыйымдылығын (Ciss), шығыс сыйымдылығын (Coss) және кері тасымалдау сыйымдылығын (Crss, Миллер сыйымдылығы ретінде де белгілі) қамтиды.
Кіріс сыйымдылығы (Ciss):
АНЫҚТАМА: Кіріс сыйымдылығы қақпа мен көз және ағызу арасындағы жалпы сыйымдылық болып табылады және параллель қосылған қақпа көзінің сыйымдылығынан (Cgs) және қақпаның төгу сыйымдылығынан (Cgd) тұрады, яғни Ciss = Cgs + Cgd.
Функция: кіріс сыйымдылығы MOSFET ауысу жылдамдығына әсер етеді. Кіріс сыйымдылығы шекті кернеуге дейін зарядталған кезде құрылғыны қосуға болады; белгілі бір мәнге дейін зарядсызданған кезде құрылғыны өшіруге болады. Сондықтан жүргізу тізбегі және Ciss құрылғының қосылуы мен өшірілуінің кешігуіне тікелей әсер етеді.
Шығу сыйымдылығы (кос):
Анықтама: Шығу сыйымдылығы ағызу мен көз арасындағы жалпы сыйымдылық болып табылады және параллель орналасқан ағызу көзінің сыйымдылығынан (Cds) және қақпа-дренаж сыйымдылығынан (Cgd) тұрады, яғни Coss = Cds + Cgd.
Рөл: жұмсақ коммутациялық қолданбаларда Coss өте маңызды, себебі ол тізбекте резонанс тудыруы мүмкін.
Кері беріліс сыйымдылығы (Crss):
Анықтама: Кері беріліс сыйымдылығы қақпаның төгу сыйымдылығына (Cgd) баламалы және жиі Миллер сыйымдылығы деп аталады.
Рөл: Кері тасымалдау сыйымдылығы коммутатордың көтерілу және құлдырау уақытының маңызды параметрі болып табылады және ол өшірудің кешігу уақытына да әсер етеді. Сыйымдылық мәні ағызу көзінің кернеуі жоғарылаған сайын азаяды.
II. Қарсылық (Rds(қосу))
Анықтама: Қосылу кедергісі - бұл нақты жағдайларда (мысалы, нақты ағып кету тогы, қақпа кернеуі және температура) күйдегі MOSFET көзі мен ағызу арасындағы кедергі.
Әсер етуші факторлар: Қосылу кедергісі тұрақты мән емес, оған температура әсер етеді, температура неғұрлым жоғары болса, соғұрлым Rds(on) үлкен болады. Сонымен қатар, төзімділік кернеуі неғұрлым жоғары болса, MOSFET ішкі құрылымы неғұрлым қалың болса, соғұрлым сәйкес қарсылық жоғары болады.
Маңыздылығы: коммутациялық қуат көзін немесе драйвер тізбегін жобалау кезінде MOSFET-тің қосулы кедергісін ескеру қажет, өйткені MOSFET арқылы өтетін ток осы кедергіге энергияны жұмсайды және тұтынылатын энергияның бұл бөлігі қосулы деп аталады. қарсылықтың жоғалуы. Төмен кедергісі бар MOSFET таңдау қарсылық жоғалуын азайтуы мүмкін.
Үшіншіден, басқа маңызды параметрлер
Қақпаның сыйымдылығы мен қарсылығынан басқа, MOSFET басқа да маңызды параметрлерге ие, мысалы:
V(BR)DSS (ағызу көзінің бұзылу кернеуі):Дренаж арқылы өтетін ток белгілі бір температурада және қақпа көзі тұйықталған кезде белгілі бір мәнге жететін ағызу көзінің кернеуі. Бұл мәннен жоғары түтік зақымдалуы мүмкін.
VGS(th) (Шекті кернеу):Көзі мен ағызу арасында өткізгіш арнаның қалыптаса бастауы үшін қажетті қақпа кернеуі. Стандартты N-арна MOSFET үшін VT шамамен 3-тен 6В-қа дейін болады.
Идентификатор (максималды үздіксіз төгу тогы):Максималды номиналды түйіспе температурасында микросхема рұқсат ете алатын максималды үздіксіз тұрақты ток.
IDM (максималды импульстік ағынды ток):Құрылғы жұмыс істей алатын импульстік ток деңгейін көрсетеді, импульстік ток үздіксіз тұрақты токтан әлдеқайда жоғары.
PD (қуаттың максималды шығыны):құрылғы максималды тұтынылатын қуатты тарата алады.
Қорытындылай келе, MOSFET қақпасының сыйымдылығы, кедергісі және басқа параметрлері оның өнімділігі мен қолданылуы үшін өте маңызды және оларды қолданудың нақты сценарийлері мен талаптарына сәйкес таңдау және жобалау қажет.
Жіберу уақыты: 18 қыркүйек 2024 ж
