N типті, P типті MOSFET мәнінің жұмыс принципі бірдей, MOSFET негізінен ағызу тогының шығыс жағын сәтті басқару үшін қақпа кернеуінің кіріс жағына қосылады, MOSFET кернеумен басқарылатын құрылғы, қосылған кернеу арқылы Құрылғының сипаттамаларын басқару үшін қақпаға, зарядты сақтау әсерінен туындаған базалық токқа байланысты коммутация уақытын орындау үшін триодқа қарағанда, коммутация қолданбаларында, MOSFET's коммутация қолданбаларында,MOSFET коммутация жылдамдығы триодқа қарағанда жылдамырақ.
Коммутациялық қуат көзінде, әдетте қолданылатын MOSFET ашық ағызу тізбегі, ағызу жүктемеге бұрынғы күйінде қосылады, ашық ағызу, ашық ағызу тізбегі деп аталады, жүктеме кернеудің қаншалықты жоғары болғанына байланысты, қосуға, өшіруге болады. жүктеме тогы мінсіз аналогтық коммутация құрылғысы болып табылады, ол коммутациялық құрылғыларды орындау үшін MOSFET принципі болып табылады, MOSFET көп тізбектер түрінде коммутация жасау.
Электрмен жабдықтау қолданбаларын ауыстыру тұрғысынан бұл қолданба талап етеді MOSFETs мезгіл-мезгіл өткізу, өшіру, мысалы, негізгі конвертерде жиі қолданылатын DC-DC қуат көзі коммутациялық функцияны орындау үшін екі MOSFET-ке сүйенеді, бұл қосқыштар энергияны сақтау, энергияны жүктемеге босату үшін индукторда кезектесіп отырады, жиі таңдайды жүздеген кГц немесе тіпті 1 МГц-тен жоғары, себебі жиілік неғұрлым жоғары болса, магниттік компоненттер соғұрлым аз болады. Қалыпты жұмыс кезінде MOSFET өткізгішке эквивалентті, мысалы, жоғары қуатты MOSFETs, шағын вольтты MOSFETs, тізбектер, қуат көзі MOS өткізгіштігінің ең аз шығыны болып табылады.
MOSFET PDF параметрлері, MOSFET өндірушілері күйдегі кедергіні анықтау үшін RDS (ON) параметрін сәтті қабылдады, қолданбаларды ауыстыру үшін RDS (ON) құрылғының ең маңызды сипаттамасы болып табылады; деректер парақтары RDS (ON) анықтайды, VGS ысырмасының (немесе жетектің) кернеуі және коммутатор арқылы өтетін ток байланысты, адекватты шлюз дискісі үшін RDS (ON) салыстырмалы статикалық параметр болып табылады; Өткізгіштікте болған MOSFET жылу генерациясына бейім, ал баяу көтерілу температуралары RDS (ON) жоғарылауына әкелуі мүмкін;MOSFET деректер парақтары жылу кедергісі параметрін көрсетеді, ол MOSFET бумасының жартылай өткізгіштік түйісуінің жылуды тарату қабілеті ретінде анықталады, ал RθJC жай ғана түйіспеден корпусқа жылу кедергісі ретінде анықталады.
1, жиілік тым жоғары, кейде көлемді шамадан тыс орындау, тікелей жоғары жиілікке әкеледі, жоғалту бойынша MOSFET артады, жылу соғұрлым жоғары болады, жылуды адекватты диссипациялау дизайнын жақсы орындамаңыз, жоғары ток, номиналды MOSFET-тің ағымдағы мәні, қол жеткізу үшін жақсы жылу диссипациясының қажеттілігі; Идентификатор максималды токтан аз, елеулі жылу болуы мүмкін, барабар қосалқы радиаторлардың қажеттілігі.
2, MOSFET таңдау қателері және қуатты бағалаудағы қателер, MOSFET ішкі кедергісі толығымен қарастырылмаған, MOSFET жылыту мәселелерімен айналысқанда коммутациялық кедергінің жоғарылауына тікелей әкеледі.
3, тізбекті жобалау мәселелеріне байланысты, нәтижесінде жылу пайда болады, сондықтан MOSFET коммутация күйінде емес, сызықтық жұмыс күйінде жұмыс істейді, бұл MOSFET жылытуының тікелей себебі болып табылады, мысалы, N-MOS коммутация жасайды, G- деңгей кернеуі қуат көзінен бірнеше В жоғары болуы керек, толық өткізу мүмкіндігі болуы үшін P-MOS әртүрлі; толық ашық болмаған жағдайда кернеудің төмендеуі тым үлкен, бұл қуат тұтынуға әкеледі, тұрақты токтың эквивалентті кедергісі үлкенірек, кернеудің төмендеуі де артады, U * I де өседі, жоғалту қызуға әкеледі.
Жіберу уақыты: 01 тамыз 2024 ж
