Қос иіру кристалды триодтан айырмашылығы, әдетте, оны жасау сезіледіMOSFETжүргізу электр ағынын пайдаланбайды, тек GS кернеуінің белгілі бір мәннен жоғары болуын талап етеді. Мұны істеу салыстырмалы түрде оңай, бізге негізінен белгілі бір мөлшерлеме қажет.
MOSFET құрылымы үшін біз GS, GD таба аламыз, кейбір паразиттік сыйымдылық болады, ал MOSFET жетегі, шын мәнінде, сыйымдылықты зарядтау және разрядтау болып табылады. Конденсаторларды зарядтау үшін бізге тек ток жеткілікті, өйткені зарядтау сәтіндегі конденсатор қысқа тұйықталу ретінде конденсаторға тең, бұл жолы лездік ток жалпы жағдай мәнінен жоғары болады. Сондықтан, біз содан кейін MOSFET жетек тізбегінің бағдарламасын таңдаймыз немесе жобалаймыз, бірінші кезекте лездік қысқа тұйықталу тоғының өлшеміне назар аудару керек.
Екіншіден, жоғары деңгейлі жетек үшін кеңінен қолданылатын NMOS, ол өткізген кезде қақпа кернеуінің бастапқы кернеуден асуына мүмкіндік беруі керек. Жоғары деңгейлі MOSFET жетегі уақытында, көздің кернеуі мен ағызу кернеуінің өлшемі бірдей, сондықтан бұл жолы қақпа кернеуі Vcc-тен 4 В немесе 10 В жоғары болуы керек. Егер бір жүйеде Vcc қақпасының кернеуінен жоғары болғыңыз келсе, кернеу тізбегін басқаруға мамандануыңыз керек. Көптеген мотор драйверлері заряд сорғыларынан тұрады, MOSFET-ті басқару үшін жеткілікті қысқа тұйықталу тогын алу үшін сәйкес сыртқы конденсаторды таңдау керек екенін атап өткен жөн.
Olueky негізгі командасы құрамдас бөліктерге маманданған, штаб-пәтері Шэньчжэньде орналасқан. Негізгі:MOSFET, MCU, IGBT және басқа құрылғылар. Негізгі агент өнімдеріWINSOK, Cmsemicon. өнімдер әскери, өнеркәсіптік бақылау, жаңа энергетика, медициналық өнімдер, 5G, заттар интернеті, смарт үй және әртүрлі тұрмыстық электроника салаларында кеңінен қолданылады. Қытай нарығына негізделген түпнұсқа жаһандық бас агенттің артықшылықтарына сүйене отырып. Клиенттерге жоғары технологиялық электрондық компоненттердің барлық түрлерін енгізу, өндірушілерге жоғары сапалы өнімдер шығаруға және мінсіз қызмет көрсетуге көмектесу үшін тамаша қызмет көрсетудің артықшылықтарын пайдалану.
Жіберу уақыты: 06 шілде 2024 ж
