MOSFET қалай жұмыс істейді?

1, MOSFETкіріспе

FieldEffect Transistor аббревиатурасы (FET)) тақырыбы MOSFET. көп полюсті транзистор ретінде белгілі жылу өткізгіштікке қатысу үшін тасымалдаушылардың аз санымен. Ол кернеуді игеретін жартылай өткізгіш механизмге жатады. Шығу кедергісі жоғары (10^8 ~ 10^9Ω), төмен шу, төмен қуат тұтыну, статикалық диапазон, біріктіру оңай, екінші бұзылу құбылысы жоқ, теңіз кеңістігін сақтандыру міндеті және басқа да артықшылықтар қазір өзгерді. күшті серіктестердің биполярлық транзисторы және қуат түйісу транзисторы.

2, MOSFET сипаттамалары

1, MOSFET – кернеуді басқару құрылғысы, ол VGS (қақпа көзінің кернеуі) басқару идентификаторы (ағызу DC) арқылы;

2, MOSFETшығыс тұрақты ток полюсі кішкентай, сондықтан шығыс кедергісі үлкен.

3, бұл жылуды өткізу үшін тасымалдаушылардың аз санын қолдану, сондықтан ол тұрақтылықтың жақсы өлшеміне ие;

4, ол қысқару жолынан тұрады электрлік төмендеу коэффициенті триодтан кішірек төмендеу жолынан тұрады азайту коэффициенті;

5, MOSFET сәулеленуге қарсы қабілеті;

6, шудың шашыраңқы бөлшектерінен туындаған олигон дисперсиясының ақаулы белсенділігінің болмауына байланысты, сондықтан шу төмен.

3, MOSFET тапсырма принципі

MOSFETбір сөйлемдегі жұмыс принципі "дренаж - қақпаға арналған арна арқылы ағып жатқан идентификатор арасындағы көз және қақпа кернеуінің негізгі идентификаторының кері қисаюы арқылы құрылған pn түйісу арасындағы арна", дәлірек айтқанда, ID ені арқылы ағады. жолдың, яғни арнаның көлденең қимасының ауданы - пн түйісуінің кері қисаюының өзгеруі, ол сарқылу қабатын тудырады Кеңейтілген вариацияның себебі бақылау. VGS=0 қанықпаған теңізде өтпелі қабаттың кеңеюі онша үлкен емес болғандықтан, дренаждық көз арасындағы VDS магнит өрісінің қосылуына сәйкес бастапқы теңіздегі электрондардың бір бөлігі тартылады. төгу, яғни ағызудан көзге дейін тұрақты ток идентификаторы әрекеті бар. Қақпадан дренажға дейін үлкейтілген қалыпты қабат арнаның бүкіл денесін блоктау түрін құрайды, ID толық. Бұл пішінді шымшу деп атаңыз. Тұрақты токтың орнына тұтас кедергінің арнасына өту қабатын символдық түрде ажыратады.

Өтпелі қабатта электрондар мен саңылаулардың еркін қозғалысы болмағандықтан, ол идеалды түрде дерлік оқшаулау қасиеттеріне ие және жалпы токтың өтуі қиын. Бірақ содан кейін дренаж арасындағы электр өрісі - көзі, шын мәнінде, екі өтпелі қабат ағызу және төменгі бөлікке жақын қақпа полюсі, өйткені дрейфтік электр өрісі өтпелі қабат арқылы жоғары жылдамдықты электрондарды тартады. Дрейф өрісінің қарқындылығы ID көрінісінің толықтығын тудыратын тұрақты дерлік.

Схема жақсартылған P-арна MOSFET және жақсартылған N-арна MOSFET комбинациясын пайдаланады. Кіріс төмен болған кезде, P-каналы MOSFET өткізеді және шығыс қуат көзінің оң терминалына қосылады. Кіріс жоғары болған кезде N-арна MOSFET өткізеді және шығыс қуат көзінің жерге қосылады. Бұл схемада P-арна MOSFET және N-арна MOSFET әрқашан қарама-қарсы күйлерде жұмыс істейді, олардың фазалық кірістері мен шығыстары кері болады.