IGBT және MOSFET арасындағы айырмашылықтар

IGBT (оқшауланған қақпаның биполярлы транзисторы) және MOSFET (металл оксиді-жартылай өткізгіш өрістік транзистор) - қуатты электроникада кеңінен қолданылатын екі жалпы қуатты жартылай өткізгіш құрылғылар. Екеуі де әртүрлі қолданбаларда маңызды құрамдас болғанымен, олар бірнеше аспектілерде айтарлықтай ерекшеленеді. Төменде IGBT мен MOSFET арасындағы негізгі айырмашылықтар берілген:

1. Жұмыс принципі

- IGBT: IGBT BJT (биполярлық қосылыс транзисторы) және MOSFET сипаттамаларын біріктіріп, оны гибридті құрылғыға айналдырады. Ол MOSFET қақпа кернеуі арқылы BJT негізін басқарады, ол өз кезегінде BJT өткізгіштігі мен үзілуін басқарады. IGBT өткізу және кесу процестері салыстырмалы түрде күрделі болғанымен, оның өткізгіштік кернеуінің төмен шығындары мен жоғары кернеуге төзімділігі бар.

- MOSFET: MOSFET – жартылай өткізгіштегі токты қақпа кернеуі арқылы басқаратын өрістік транзистор. Қақпа кернеуі бастапқы кернеуден асып кеткенде, токтың өтуіне мүмкіндік беретін өткізгіш қабат пайда болады. Керісінше, қақпа кернеуі шекті мәннен төмен болғанда, өткізгіш қабат жоғалады, ал ток ағып кете алмайды. MOSFET жұмысы салыстырмалы түрде қарапайым, ауысу жылдамдығы жоғары.

2. Қолдану аймақтары

- IGBT: Жоғары кернеуге төзімділігі, төмен өткізгіштік кернеуінің жоғалуы және жылдам ауысу өнімділігі арқасында IGBT әсіресе инверторлар, мотор драйверлері, дәнекерлеу машиналары және үздіксіз қуат көздері (UPS) сияқты жоғары қуатты, аз шығынды қолданбалар үшін қолайлы. . Бұл қолданбаларда IGBT жоғары вольтты және жоғары токты ауыстыру операцияларын тиімді басқарады.

- MOSFET: MOSFET жылдам жауап беруі, жоғары кіріс кедергісі, тұрақты коммутация өнімділігі және төмен құны, коммутациялық режимдегі қуат көздері, жарықтандыру, дыбыс күшейткіштері және логикалық схемалар сияқты төмен қуатты, жылдам ауысатын қолданбаларда кеңінен қолданылады. . MOSFET төмен қуатты және төмен вольтты қолданбаларда өте жақсы жұмыс істейді.