WSR140N12 N-арнасы 120В 140А TO-220-3L WINSOK MOSFET

қысқаша сипаттама:

Модель нөмірі:WSR140N12

BVDSS:120 В

RDSON:5мОм

ID:140А

Арна:N-арна

Пакет:TO-220-3L

Өнімнің жазғы нұсқасы:WSR140N12 MOSFET кернеуі 120В, ток күші 140А, кедергісі 5мОм, арна N-арна, ал пакет TO-220-3L.

Қолданбалар:Электрмен жабдықтау, медициналық, негізгі құрылғылар, BMS т.б.

Бізге электрондық поштаны жіберіңіз PDF

Өнімнің егжей-тегжейі

Қолданба

Өнім тегтері

Жалпы сипаттама

WSR140N12 синхронды конвертер қолданбаларының көпшілігі үшін тамаша RDSON және қақпа зарядын қамтамасыз ететін өте жоғары ұяшық тығыздығы бар N-ch MOSFET ең жоғары өнімді траншеясы болып табылады. WSR140N12 RoHS және Green Product талаптарына жауап береді, 100% EAS кепілдік берілген, толық функция сенімділігі мақұлданған.

Ерекше өзгешеліктері

Жетілдірілген жоғары ұяшық тығыздығы транш технологиясы, өте төмен қақпа заряды, CdV/dt эффектінің жақсы төмендеуі, 100% EAS кепілдігі, жасыл құрылғы қолжетімді.

Қолданбалар

Жоғары жиілікті жүктеме нүктесінің синхронды конвертері, желілік тұрақты тұрақты ток қуат жүйесі, қуат көзі, медициналық, негізгі құрылғылар, BMS т.б.

сәйкес материал нөмірі

ST STP40NF12 және т.б.

Маңызды параметрлер

Таңба	Параметр	Рейтинг	Бірліктер
VDS	Дренаждық көз кернеуі	120	V
VGS	Шықпа көзі кернеуі	±20	V
ID	Үздіксіз төгу тогы, VGS @ 10V(TC=25℃)	140	A
IDM	Импульстік ағызу тогы	330	A
EAS	Бірыңғай импульстік көшкін энергиясы	400	mJ
PD	Жалпы қуат шығыны... C=25℃)	192	W
RθJA	Жылу кедергісі, түйіспе-қоршаған орта	62	℃/Вт
RθJC	Жылу кедергісі, түйіспелі корпус	0,65	℃/Вт
TSTG	Сақтау температурасының диапазоны	-55-тен 150-ге дейін	℃
TJ	Жұмыс тораптарының температура диапазоны	-55-тен 150-ге дейін	℃

Таңба	Параметр	Шарттар	Мин.	Түр.	Макс.	Бірлік
BVDSS	Су төгетін көздің бұзылу кернеуі	VGS=0V , ID=250uA	120	---	---	V
RDS(ҚОСУ)	Статикалық ағызу көзі-қарсылық2	VGS=10V , ID=30A	---	5.0	6.5	мΩ
VGS(th)	Шкафтың шектік кернеуі	VGS=VDS , ID =250uA	2.0	---	4.0	V
IDSS	Дренаждық көздің ағып кету тогы	VDS=120V , VGS=0V , TJ=25℃	---	---	1	uA
IGSS	Шлюз-көзінің ағып кету тогы	VGS=±20V , VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Жалпы қақпа заряды	VDS=50V , VGS=10V , ID=15A	---	68.9	---	nC
Qgs	Gate-Source заряды		---	18.1	---
Qgd	Gate-drain заряды		---	15.9	---
Td(қосу)	Қосылуды кешіктіру уақыты	VDD=50V , VGS=10VRG=2Ω,ID=25A	---	30.3	---	ns
Tr	Көтерілу уақыты		---	33.0	---
Td(өшіру)	Өшіру кешігу уақыты		---	59.5	---
Tf	Күз уақыты		---	11.7	---
Ciss	Кіріс сыйымдылығы	VDS=50V , VGS=0V , f=1МГц	---	5823	---	pF
Кос	Шығу сыйымдылығы		---	778.3	---
Crss	Кері тасымалдау сыйымдылығы		---	17.5	---