WSD30150DN56 N-арнасы 30В 150А DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET өніміне шолу
WSD30150DN56 MOSFET кернеуі 30В, ток күші 150А, кедергісі 1,8мОм, арна N-арна, ал пакет DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET қолданбалы аймақтары
E-темекі MOSFET, сымсыз зарядтау MOSFET, дрондар MOSFET, медициналық көмек MOSFET, автокөлік зарядтағыштары MOSFET, контроллер MOSFET, сандық өнімдер MOSFET, шағын тұрмыстық техника MOSFET, тұрмыстық электроника MOSFET.
WINSOK MOSFET басқа бренд материал нөмірлеріне сәйкес келеді
AOS MOSFET AON6512, AONS3234.
Onsemi,FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.
NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.
TOSHIBA MOSFET TPH1R43NL.
PANJIT MOSFET PJQ5428.
NIKO-SEM MOSFET PKC26BB, PKE24BB.
POTENS жартылай өткізгіш MOSFET PDC392X.
MOSFET параметрлері
| Таңба | Параметр | Рейтинг | Бірліктер |
| VDS | Дренаждық көз кернеуі | 30 | V |
| VGS | Гэйт-Суrce Кернеу | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Үздіксіз төгу тогы, VGS@ 10 В1,7 | 150 | A |
| ID@TC=100℃ | Үздіксіз төгу тогы, VGS@ 10 В1,7 | 83 | A |
| IDM | Импульстік ағызу тогы2 | 200 | A |
| EAS | Бірыңғай импульстік көшкін энергиясы3 | 125 | mJ |
| IAS | Көшкін ағыны | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Толық қуат шығыны4 | 62.5 | W |
| TSTG | Сақтау температурасының диапазоны | -55-тен 150-ге дейін | ℃ |
| TJ | Жұмыс тораптарының температура диапазоны | -55-тен 150-ге дейін | ℃ |
| Таңба | Параметр | Шарттар | Мин. | Түр. | Макс. | Бірлік |
| BVDSS | Су төгетін көздің бұзылу кернеуі | VGS=0В, ID=250уА | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSТемпература коэффициенті | 25 сілтеме℃, ИD=1мА | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(ҚОСУ) | Статикалық ағызу көзіне қарсылық2 | VGS=10В, ID=20А | --- | 1.8 | 2.4 | mΩ |
| VGS=4,5 В , ID=15А | 2.4 | 3.2 | ||||
| VGS(th) | Шкафтың шектік кернеуі | VGS=VDS, ИD=250уА | 1.4 | 1.7 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)Температура коэффициенті | --- | -6.1 | --- | мВ/℃ | |
| IDSS | Дренаждық көздің ағып кету тогы | VDS=24В, ВGS=0В, ТJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24В, ВGS=0В, ТJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Шлюз-көзінің ағып кету тогы | VGS=±20В, ВDS=0В | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Форвард өткізгіштік | VDS=5В, ID=10А | --- | 27 | --- | S |
| Rg | Қақпаға қарсылық | VDS=0В, ВGS=0В , f=1МГц | --- | 0,8 | 1.5 | Ω |
| Qg | Жалпы қақпа заряды (4,5 В) | VDS=15В, ВGS=4,5 В , ID=30А | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Gate-Source заряды | --- | 9.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-drain заряды | --- | 11.4 | --- | ||
| Td(қосу) | Қосылуды кешіктіру уақыты | VDD=15В, ВГЕН=10В, РG=6Ω, ИD=1А, RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Көтерілу уақыты | --- | 12 | --- | ||
| Td(өшіру) | Өшіру кешігу уақыты | --- | 69 | --- | ||
| Tf | Күз уақыты | --- | 29 | --- | ||
| Cисс | Кіріс сыйымдылығы | VDS=15В, ВGS=0В , f=1МГц | 2560 | 3200 | 3850 | pF |
| Кос | Шығу сыйымдылығы | 560 | 680 | 800 | ||
| Crss | Кері тасымалдау сыйымдылығы | 260 | 320 | 420 |
